在利用太阳能进行水分解的过程中，用于光吸收的材料（如硅、砷化镓）很容易受到水溶液的腐蚀而丧失原有功能。加州理工学院人工光合作用联合中心（JCAP）的研究人员近日宣布开发出一种方法，能够保护用于光吸收的半导体材料。 研究人员使用原子层沉积方法在单晶硅、砷化镓或磷化镓表面形成一层TiO2膜。其关键在于，这种TiO2是能够漏电的，这种“漏电TiO2”膜的厚度为4~143纳米之间，它能够在保持透明的前提下，保护半导体免受水溶液的腐蚀。 在TiO2的表层，研究人员沉积了一些100纳米厚的镍氧化物的“岛”，使其成为水分解过程的催化剂。 尽管该工作对于水分解反应中的氧化过程适用，但研究人员强调，尚无法得知是否能够使用较为廉价、简单的应用技术，如喷涂等方法将TiO2覆盖于半导体表面。而且，该团队的实验只在连续光照下进行了几百个小时，无法得知更长时间下的保护效果。 研究人员使用原子层沉积方法在单晶硅、砷化镓或磷化镓表面形成一层能够漏电的TiO2膜，这种“漏电TiO2”膜的厚度为4~143纳米之间，它能够在保持透明的前提下，保护半导体免受水溶液的腐蚀。
