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科技 全球存储巨头争相扩产,中国厂商入局能否打破“铁三角”格局?

Discussion in '新闻聚焦' started by 漂亮的石头, 2021-06-30.

  1. 漂亮的石头

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    作为芯片进口大国,中国一年 3000 亿美元的芯片进口中,就有超过 800 亿美元来自于内存芯片,包括了 DRAM 芯片和 NAND 芯片。而在芯片缺货潮下,全球市场对于存储芯片的需求更是不断攀升。

    6 月 29 日,有消息称韩国存储器巨头 SK 海力士将针对 2 月份才落成的 M16 新晶圆厂投资 8000 亿韩元 (约人民币 45 亿元),用以采购包含 EUV 在内的生产设备。该工厂预计在今年年底前达到每月量产 1.8 万片 12 寸晶圆的目标。​

    而在此前,三星以及美光均对外发布了相关芯片的扩产计划。​

    同样在国内,也形成了以长江存储、合肥长鑫和福建晋华为首的国产存储阵营。根据世界半导体贸易统计组织数据显示,我国存储芯片市场规模从 2015 年的 45.2 亿美元已上升至 2020 年的 183.6 亿美元,业内预测,到 2024 年,国内存储芯片的市场规模有望突破 500 亿美元。​

    存储芯片价格两个月涨 20%

    炒内存条曾经被业内称为“比炒房还要赚钱的生意”。”​

    随着智能手机、服务器等终端的需求量激增 ,DRAM( 主要包括 PC 内存、移动式内存、服务器内存)价格一路飙升。分析机构指出 ,DRAM Q2 报价涨幅已进入全年峰值,从 4 月至 6 月累计涨幅将达到 20-25%。​

    全球市场研究机构 TrendForce 集邦咨询表示,受今年上半年各终端买方积极备库存的带动,使存储器原厂库存偏低,目前 DRAM 原厂平均库存仅 3 ~ 4 周 ,NAND Flash 供应商平均库存则为 4 ~ 5 周。存储器供应吃紧,上半年 DRAM 涨幅达 20%。 该机构预估,第三季整体 DRAM 价格将续涨约 3 ~ 8%,NAND Flash 则受 enterpriseSSD及 wafer 需求攀升,整体价格季涨幅将由原先的 3 ~ 8%, 上调至 5 ~ 10%。​

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    “目前仍在涨价阶段 。”TrendForce 集邦咨询分析师吴雅婷对第一财经记者表示,受惠于制程转换不易导致供给缩减等因素带动,供给位元成长低于需求位元成长,使得今年度 DRAM 呈现供货吃紧市况,价格持续走高。​

    吴雅婷对记者表示,目前的 DRAM 市场仍然由三星 、SK 海力士以及美光三强鼎立,呈现“寡占”市场格局。​

    可以看到,存储产业一直是韩国半导体产业构成中重要的一环。在今年年初,韩国政府公布的半导体强国目标十年规划中就提到,到 2030 年,以三星和海力士为首的 153 家公司将总计投资超过 4500 亿美元用于半导体研发和生产。而海力士此次对 EUV 光刻机的投资也被业内视为存储器芯片扩产计划中的重要一步。​

    此外,过去 EUV 光刻机设备主要用于逻辑芯片代工,但随着三星在 2020 年将 EUV 光刻机导入第一代 10 纳米级 (1x)DRAM 存储器芯片量产的举动,标志着 DRAM 存储器芯片进入 EUV 时代。除此以外,三星还计划将在 2021 年大量生产基于第四代 10 纳米 (1a)EUV 工艺的 16Gb DDR5/LPDDR5。​

    巨头的不断投入也在推高市场的整体增长。世界半导体贸易统计组织预计 ,2021 年全球半导体总产值有望达到 5272 亿美元(约 33700 亿人民币),同比增长 19.7%, 其中存储芯片的产值将以 31.7% 的增幅高居第一。​

    国产企业追赶

    在国家大力支持半导体产业发展的大背景下,中国半导体存储器基地于 2016 年开工建设,中国存储芯片也迎来了大发展。​

    虽然达到“技术自主研发”与“稳定量产规模”的目标仍需要时间,但目前国内企业已经形成了以长江存储、合肥长鑫以及利福建晋华为主的国产存储阵营。​

    6 月 28 日,合肥长鑫第二期 12 寸厂房举行奠基仪式,有消息称新厂房是为未来进入 1y nm 以下工艺节点(接近 15 纳米工艺)所做的前期准备。但官方并未对这一消息予以确定。​

    不过可以看到,过去几年,合肥长鑫正在寻求 DRAM 内存芯的技术突破。​

    在 2019 年,合肥长鑫量产了 19nm 工艺的 DDR4、LPDDR4 内存,也是全球第四家 DRAM 产品采用 20nm 以下工艺的厂商。根据目标规划,今年将完成 17nm 技术研发。​

    而在今年 3 月,合肥产投集团在其官微提到合肥长鑫发展情况时指出,目前长鑫 12 英寸存储器晶圆制造基地项目总投资 1500 亿元,截至 2020 年底,合肥长鑫 12 吋存储器晶圆制造基地项目提前达到预期产能。​

    而另一家存储企业,长江存储 CEO 杨士宁 (Simon) 曾说过:“存储不是一个好做的行业,比我在英特尔做 CPU 还要难。”​

    但经过三年的技术攻坚,长江存储芯片月产能已达到 30 万片,产品覆盖 64 层 3D NAND 闪存和 128 层 3D NAND 闪存规格多款产品。此前华为 mate40 系列使用的闪存,出自长江存储的 64 层 3D NAND。​

    此外,国家已出台一系列产业政策,支持存储产业发展。​

    但随着中国存储器厂商陆续进入设备安装阶段,市场的变动也在“挑战”着国际巨头们的神经。​

    半导体调研机构 IC Insights 总裁曾表示,三星、海力士和美光占据着市场 95% 以上的份额,在专利侵权方面倾向于相互之间睁一只眼闭一只眼,理论上,由于它们都拥有如此庞大的专利库,所以彼此之间的专利争夺战是没有任何意义的。“但是,如果一家新公司进入市场,他们将不会给予这样的优待。”对于三星和海力士来说尤其如此。​

    换言之,目前国产存储企业面对的挑战是一场长距离赛跑,当面对巨头们打出的“反周期定律价格战”、“技术专利战”时应该随时有所准备。​
     
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