Intel 这几年在工艺进度上落后跟 10nm、7nm 工艺多次跳票有关，而新工艺延期也跟 Intel 此前不考虑 EUV 工艺有关，所以 10nm 工艺才上了四重曝光，导致良率上不去，迟迟无法量产。 Intel 之前认为 EUV 工艺不够成熟，现在 EUV 光刻工艺已经量产几年了 ，Intel 也开始跟进了，原先的 7nm 工艺、现在的 Intel 4 工艺会是全面使用 EUV 光刻机的开始，首款产品是 Meteor Lake 流星湖 ，2023 年发布。 之后的 Intel 3 工艺 、Intel 20A 工艺上也会持续利用 EUV 工艺，进一步提升性能及能效。 再往后 Intel 还会积极跟进 EUV 技术发展 ，2025 年之后的工艺已经规划到了 Intel 18A， 将使用第二代 RibbonFET 晶体管 ，EUV 光刻机也会有一次重大升级。 Intel 表示致力于定义、构建和部署下一代 High-NA EUV， 有望率先获得业界第一台 High-NA EUV 光刻机。 Intel 目前正与 ASML 密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代 EUV。 这就意味着 Intel 很有可能首发下一代 EUV 光刻机，NA 数值孔径从目前的 0.33 提升到 0.5， 这是 ASML 的 NXE：5000 系列，之前预计是在 2023 年问世，现在推迟到了 2025-2026 年，单台售价预计将超过 3 亿美元，差不多人民币 20 亿一台。 Intel 为了超越台积电、三星重返半导体技术一哥，现在可以说是拼了老命了，对玩家来说这倒是好事，以往的带头大哥回来了。
