据《日经》Asian Review报道，日美超过20家芯片业公司正联手开发名为MRAM的下一代"磁阻随机存取存储器"的芯片技术。这些企业包括东京电子、信越化学、瑞萨电子、日立、以及美国内存巨头镁光科技。它们将向位于日本北部的东北大学"抽调出数十名研究人员"，团队领导人为远藤哲夫(Tetsuo Endoh)教授，开始时间为明年2月。 与DRAM不同，MRAM采用的是磁存储的手段(DRAM为电荷或电流)。 据《日经》报道，MRAM的功率消耗只有DRAM的1/3，而容量和写入速度都可以达到DRAM的10倍。这使得MRAM成为了下一代智能手机和平板电脑的绝配。 至于产品商业化后的具体表现，还有待观察，预计MRAM的量产会从2018年开始。更多有关MRAM的内容，可移步EngineerLive.com作进一步了解。 [编译自：cnet]
