近日一则：“128G 的 iPhone6/Plus 会莫名崩溃，恐导致大规模召回。”的新闻在网上疯传，并且引起了不少苹果用户的担心，尤其是那些根据“要买就买顶配”的买买买原则而选择了 128G 的 iPhone 的用户。不过新闻内容却引起了笔者的好奇，根据报道内容： “引起 iPhone 崩溃的原因竟然是 NAND FLASHMEMORY（闪存）模块中 IC 控制单元出现故障，并且苹果为了减少成本使用了低价的 NAND TLC FLASH MEMORY 而非成本更高、速度更快的 NAND MLC FLASH MEMORY。因此当用户安装超过 700 个 App 时，iPhone 便会自己崩溃，更令消费者感到担忧的是最新的 iOS8.1 更新中这个问题并未解决，问题是出在硬件上。” NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么？ 首先 FLASH MEMORY 作为闪存设备，是手机类设备的重要存储介质，由日本的东芝公司于 1984 年发明。在 FLASH MEMORY 中又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH 两种常见的类型，其中 NOR FLASH 属于第一代产品，第一款商用产品是 1988 年 intel 公司所制造的 NOR FLASH 芯片，不过由于抹写时间较长，成本较高的原因，NOR FLASH 很快被 NAND FLASH 取代。NAND FLASH 同样是有东芝公司发明，在 1988 年的国际固态电路研讨会（ISSCC）所发布。NAND FLASH 具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小，这让 NAND FLASH 相较于 NOR FLASH 具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出 NOR FLASH 十倍。 在 FLASH 模块中，数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元（Single-level cell, SLC）设备中，每个单元只存储 1 比特的信息，这简称为 SLC NAND FLASH，其优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长，不过缺点也很明显：每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，因此不利于实际生产。而多阶存储单元（Multi-level cell, MLC）设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储 2 比特以上的数据，其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶（即多个电压值），如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC 闪存可降低生产成本，但比起 SLC 闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，因此 MLC 闪存技术会用在标准型的储存卡中。而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元（Triple-Level Cell, TLC）TLC 闪存，它的架构原理与 MLC 类似，但可以在每个储存单元内储存 3 个信息比特。TLC 的写入速度比 SLC 和 MLC 慢，寿命也比 SLC 和 MLC 短，大约 1000 次，但是可以做到大容量和低价格。现在，厂商已不使用 TLC 这个名字，而是称其为 3-bit MLC。 iPhone 中到底用了什么 FLASH MEMORY 在韩国媒体的报道中“iPhone 不仅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成电路（IC）出现了故障。”在 iPhone 内部，这块 IC 主要任务是其他电子元器件和 NAND 之间的调度和控制，保证数据的正常写入和读取，平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。 那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样？带着好奇，笔者查阅 ifixit 的拆机资。根据 16G 的真机实拆图显示，其采用来自韩国的海力士（SKhynix）的 NAND FLASH，型号为 H2JTDG8UD1BMS。（图中红色部分） 这颗 NAND FLASH 在海力士的技术文档中被归为 E2NAND 3.0，是由 SK Hynix 和 Anobit 合作开发的，而 Anobit 早已被苹果收购，致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注 H2JTDG8UD1BMS 的类型，但是在全球领先的微电子服务网站 TechInsights 上，H2JTDG8UD1BMS 被明确规范为 NAND MLC FLASH MEMORY。 因此此次韩国媒体存在着失实情况，iPhone 6 Plus 所使用的就是 NAND MLC FLASH MEMORY，而非所谓的廉价 NAND TLC FLASH MEMORY。而至于这块 FLASH 中的控制 IC 是否存在问题，目前苹果官方并未出面解释，在其他媒体上也未见反映，因此需要进一步确认。 这则新闻的背后 虽然 iPhone 6 Plus 中的技术细节已经排查清楚，那么为什么这样一则不实新闻会出现呢？笔者接着进行了排查。 这则新闻最先出现于韩国媒体 BusinessKorea，蹊跷的是 BusinessKorea 引援的内容均来自苹果论坛上的同一个用户，他在总计 159 篇的讨论帖中都反映了 128G iPhone 6 Plus 的自动崩溃问题。 显然在这个过程中 BusinessKorea 存在着明显的缺失，新闻事实明显不足，证据单一，说服力较低。除此之外，也没有查明 iPhone 6 Plus 的真实元器件，轻易得出了 128G iPhone 6 Plus 采用 NAND TLC FLASH MEMORY 的错误结论。 虽然苹果官方已经表态，不存在 128G iPhone 6 Plus 大规模自动崩溃的现象，更不可能大规模召回，但是这则失实新闻对不少苹果用户还是造成不小的影响。在笔者的实际使用过程中，iPhone 6 确实出现过程序崩溃的现象，但是次数十分少见，多为越狱后插件冲突所致，而在日常生活中和媒体上更是从未见过高频率的崩溃现象，因此各位 128G 的土豪用户大可放心，只是各家媒体长点心吧！不要一味了眼球而不负责任的转载。 文/煮机网 Kimf2009
