当前一代的智能机还没有强大到可以与计算机相抗衡，不过三星刚刚将一个重要组件加入了清单——该公司已宣布开始量产最新、最快的UFS 2.0嵌入式闪存芯片，容量高达256GB。对于一部小小的智能机来说，这么大的容量似乎有些荒谬，但同时它的顺序读写速度也较PC上的SATA SSD提升了两到三倍。 新闪存芯片符合“通用闪存2.0”（UFS 2.0）规范，读/写操作的IOPS分别为45k和40k。对于大多数智能机（甚至旗舰机）上所使用的UFS闪存来说，新标下的产品速度至少翻了一倍。 据悉，得益于双链路数据传输方案，三星UFS 2.0 256GB新闪存能够达到850MB/s的顺序读取和260MB/s的顺序写入速度——拥有比SATA SSD更可观的速度表现。 撇开存储容量不谈，在如此高的速度下，未来高端智能机将能够执行更加繁重的多媒体回放和创建任务，多路2K/4K视频也是不在话下。 好奇的是，三星特别强调了新闪存比传统microSD更小、更快、容量更大，此举或许很大程度上是在暗示OEM厂家们尽快在智能机上放弃速度拖了后腿的前者。 虽然Galaxy S7和S7 edge没能搭上256GB UFS 2.0闪存量产的顺风车，但Galaxy Note 6仍然有望在今年带给我们新的惊喜。此外，256GB ROM机型或许还会辅以6GB RAM。 [编译自：SlashGear, 来源：Samsung]
