持久存储市场中出现了一个新的参与者，这要归功于Kioxia（以前是东芝）和西部数据，并且可能会促使英特尔和三星改进其自己的解决方案。英特尔Optane技术目前领先，到目前为止三星的Z-NAND还没能撼动局面，但Kioxia和西部数据着手创造一种替代方案XL-FLASH，可以满足企业客户和数据中心不断增长的存储需求。 本质上，XL-FLASH与Optane类似，它位于内存层次结构图中的NAND和RAM之间，将这两种技术的优点结合在一起，从而在成本和性能之间取得平衡。这可以用于高速缓存和纯存储设备，但XL-FLASH的一个更重要的特点是，它的设计与英特尔和AMD平台都兼容。 与基于闪存的存储相比，Optane的价格有点太昂贵了，三星的Z-NAND也是如此，后者实际上只是低延迟的SLC NAND存储，与Optane相比，它提供了更好的耐用性，电源效率，顺序性能和游戏负载性能。两者仍然比基于NAND的解决方案贵几倍。 这也是Kioxia和西部数据在设计XL-FLASH时考虑的一个领域。这两家公司使用BiCS FLASH 3D闪存作为新技术的起点，这意味着与Optane和DRAM相比，它们能够实现相对较低的成本。它们将存储单元堆叠在16个平面上可获得更高的密度，而简化的结构可使读取延迟约为5微秒，编程延迟约为7微秒。 Kioxia和西部数据希望首先将XL-FLASH用作其高密度QLC NANDSSD的SLC缓存，但他们也正在探索制造MLC版本的新存储技术以及DIMM解决方案。最终我们可以购买的用于游戏和工作站PC的消费级XL-FLASH固态硬盘。
