作为工业级嵌入式存储解决方案的领导厂商之一，宜鼎国际（Innodisk）刚刚宣布了旗下首批工业级 DDR5 DRAM 产品。与 DDR4 时代相比，新一代内存模组带来了关键性能的一系列改进。除了容量和速率方面的优势，DDR5 DRAM 产品还在可靠性与能效方面有更亮眼的表现。 容量方面，DDR5 允许将单颗 IC 的容量提升到四倍（最大 64Gb），因而单条内存可轻松提升至 128GB 。此外参考 JESD79-5 DDR5 SDRAM 规范，其在电压和 ECC 纠错等方面也有显著的改进。 传输速率方面，DDR5 的理论性能也较 DDR4 翻倍（达到了 6400 MT/s）。另一项变化是将电源管理芯片（PMIC）从主板端挪到了 DRAM 端，同时将标准工作电压从 1.2V 降至 1.1V，以进一步降低整体功耗。 不过最让我们感到欣喜的，莫过于 DDR5 DIMM 支持单条双通道设计。两个较小的独立通道，有助于提升内存的访问效率和达成更高的速度，且每个 DIMM 拥有 40-bit 通道（32-bit 数据位 + 8-bit ECC 位）。 目前 Innodisk 提供的最高规格产品，就是单条 32GB @ 4800 MT/s 的 DDR5 内存模组。考虑到 DDR5 内存规范的正式发布还不到一年，我们预计相关平台会在今年 4 季度做好全面铺货的准备。 Innodisk 全球嵌入式与服务器 DRAM 业务部门副总裁兼总经理 Samson Chang 表示，客户对于 DDR5 能够激发的应用前景感到激动不已。 而该公司优质的 DDR5 DIMM 新品采用了原装 IC、辅以抗硫化的散热 / 敷形涂层技术，能够为行业客户带来符合其预期的工业级可靠性。 最后，尽管 DDR5 将在超算 / 大规模数据中心率先得到普及。但展望未来，DDR5 也能够在 5G、深度学习、人工智能、边缘计算、智能医疗等关键任务应用领域充分发挥它的实力。
