来自英国兰卡斯特大学物理和工程系的科学家们发表了一篇论文，详细介绍了在UltraRAM大规模生产方面取得的突破。由于其极具吸引力的品质，研究人员已经对这种新型存储器类型进行了几年的思考，而最新的突破意味着在硅片上进行大规模生产可能指日可待。 UltraRAM被描述为一种存储器技术，它结合了数据存储存储器（如闪存）的非挥发性和工作存储器（如DRAM）的速度、能源效率和耐用性。重要的是，硅上的UltraRAM可能是通用的存储器类型，有一天会满足个人电脑和设备的所有存储器需求（包括内存和存储）。 UltraRAM背后的基本科学是，它使用了化合物半导体的独特属性，常用于LED、激光器和红外探测器等光子设备，现在可以在硅上进行大规模生产。研究人员声称，在硅上的最新测试比在砷化镓半导体晶圆上测试的技术更出色。 UltraRAM将提供至少1000年的数据存储时间，其快速的开关速度和程序擦除循环的耐久性比闪存好100到1000倍。将这些品质加入到类似DRAM的速度、能源效率和耐久性中，这种新型的内存类型听起来很难被科技公司所忽视。UltraRAM被设想为打破内存和存储之间的鸿沟。因此，从理论上讲，你可以把它作为一个一次性的解决方案来填补这些目前独立的需求。在PC系统中，这将意味着你会得到一大块UltraRAM，例如2TB，这将涵盖你的内存和存储需求。 看到UltraRAM的部署扩展到从服务器到PC，再到智能设备、游戏机等，也就不足为奇了。新的内存技术是否会快到足以将专业的快速内存类型挤到一边，比如当代的GDDR和HBM技术，还有待观察。UltraRAM的定价可能是另一个棘手的问题。如果它在价格上没有竞争力，它的潜在采用率和变革力量将受到阻碍。这一经济因素还有待观察。
