在今年的闪存峰会(2013 Flash Memory Summit)上，三星推出了世界首款基于3D V-NAND技术的固态硬盘驱动器产品。由于采用了新的制造技术，新产品在性能增长20%+的同时、功耗却减少了40%+。三星表示，该公司在本月早些时候开始了新款V-NAND SSD的生产。容量方面，三星提供了960GB和480GB两种规格，不过其价格尚未公布。 凭借64层颗3D V-NAND MLC闪存(每颗容量128gbit)，960GB版本的SSD提供了最高水准的性能表现(超过20%的顺序和随机读写操作性能改进)。接口方面，其采用的仍是6Gbps的SATA3。 新款V-NAND SSD提供了35K的擦写周期，同时还有2.5英寸的7mm版本。 相关新闻： [图]突破至384GB 三星V-NAND改变手机存储格局 [2013-08-07] [图]传输性能提升2倍 三星宣布成功量产3D“垂直NAND”闪存芯片 [2013-08-06] [编译自：Electronista , via Engadget]
