今年7月份，Intel联合美光推出了3D XPoint存储方案，从形式上颗粒可理解为“3D闪存”。Intel在8月的IDF上上来就介绍了这项新技术，这是一种基于电阻的非易失性内存存储方 案，读取延迟10纳秒级别，使用寿命即全盘写入1000万次级别，介于传统DRAM、NAND之间。 令人印象深刻的是，Intel称基于3D XPoint非易失性存储方案，比传统NAND闪存速度快1000倍、寿命长1000倍、存储密度高10倍，号称1989年NAND闪存推出以来最大的存储技术创新。 考虑到现在DRAM、固态硬盘市场的蓬勃发展，蛋糕可不能仅仅由Intel和美光独享。 外媒报道称，惠普与SanDisk周四共同宣布，双方将就联合推出新内存芯片达成合作协议。新技术号称可比传统闪存快1000倍，主要面向市场除了移动设备外，还包括数据中心等企业领域。 很明显，惠普与SanDisk的技术合作旨在挑战英特尔与美光于今年7月共同推出3D Xpoint内存技术。惠普和SanDisk表示，其新内存产品可于未来大规模取代传统DRAM，以更低价格和更快性能入驻企业数据中心。
