据外媒报道，作为对高带宽内存（HBM）的回应，美光（Micron）正整备于明年为市场带来GDDR6显存。美光全球显存事业部主管Kristopher Kido近期在Fudzilla的新闻中证实了此事。报道宣称GDDR6将比主流的GDDR5快上一倍，速度在10-14 GB/s左右。相比之下，当前主流的4GB GDDR5显存大多在7 Gb/s（8GB芯片则在8 Gb/s）左右。 撇开速度不谈，GDDR6显存的形状仍与GDDR5相似，因此可以减轻设计和制造过程中的成本和复杂性。 而Digital Trends则强调称，在类似尺寸的情况下，HBM早就实现了较GDDR5翻倍的性能。此外，GDDR6不仅无法做到HBM那样高效、也无法带来相同级别的延迟。 最后，HBM 2.0即将在2016年的某个时候到来，届时它又能够借着更强性能和更高效率来继续碾压GDDR6了。 [编译自：TechSpot]
