随着GPU、CPU融合的深入，作为数据共享关键点之一的内存也亟需变革，不仅容量更高，还要速度更快。对内存带宽有更迫切要求的AMD原本打算在Kaveri APU上使用GDDR5技术的，种种因素制衡之后还是放弃了。日前AMD宣布联手海力士开发HBM(High Bandwidth Memory/高带宽内存)，这也是一种3D堆栈式内存，性能比GDDR5提升65%，功耗降低40%。 Elecroiq报道称，上周末美国加州城市柏林盖姆举办了RTI 3D ASIP会议，AMD和海力士宣布联合开发HBM内存，此前已经有美光、IBM、三星主导的HMC内存。 海力士专家Minsuk Suh、AMD高级理事Byran Black、美光Kyle Kirby 此前在FPGA和传感器领域已经有堆栈式设计(比如索尼的1300万像素堆栈式摄像头)，但是AMD高级理事Byran Black表示目前上述领域的堆栈式设计还没对主流计算领域的CPU、GPU和APU产生影响，而HBM内存将会改变(CPU、GPU及APU)。进军3D堆栈是一项英勇的举动，AMD已经准备采取这样的行动。 目前SK海力士已经开始出样HBM产品，而AMD将联合海力士开发HBM内存，已经开始准备与客户合作。 海力士公司首席工程师Minsuk Suh表示他们正在准备两种堆栈式内存，一种是用于主内存的3DS，另外一种是用于图形、网络的高性能HBM内存，JEDEC针对这些产品的规范已经接近完成。 HBM与3DS两种规范 3D堆栈内存多采用TSV硅穿孔技术。HBM类型支持多种1024个通道，可提供最高的带宽，主要用于对性能要求较高的网络和图形市场。3DS更注重成本与速度的均衡，面向主内存。 相比显卡上使用的GDDR5显存，HBM可以提高65%的总体性能，而功耗则有40%的下降。
