几个月前，AMD发布了关于他们的Ryzen CPU新技术的信息。AMD的3D V-Cache技术带来多达64MB的额外L3缓存，并将其堆叠在Ryzen CPU的顶部。3D缓存从一开始就被设计为可堆叠。这证明了AMD在这项技术上已经持续了工作几年。 现在，来自TechInsights网站的Yuzo Fukuzaki提供了更多关于AMD缓存技术新进展的细节，Fukuzaki在Ryzen 9 5950X样品上发现了具体的连接点。样品上还有一个额外空间的说明，通过提供更多的铜质连接点，为3D V-Cache创造了无障碍环境。 堆叠安装过程利用了一种叫做"硅通孔"的技术，即TSV，它通过混合粘合将SRAM的第二层连接到芯片上。在TSV中使用铜而不是通常的焊料，可以实现热效率和更多的带宽。这取代了使用焊料将两个芯片相互连接的做法。 他还在LinkedIn关于这个问题的文章中指出：为了应对memory_wall问题，缓存内存的设计很重要，这是缓存密度在工艺节点上的趋势，逻辑上的3D内存集成可以有助于获得更高的性能。随着AMD开始实现Chiplet CPU整合，他们可以使用KGD（Known Good Die）来摆脱模具的低产量问题。在IRDS（International Roadmap Devices and Systems）中，这一创新预计将在2022年实现。 TechInsights以反向方式深入研究了3d V-Cache的连接方式，并提供了以下发现的结果： TSV间距；17μm KOZ尺寸；6.2 x 5.3μm TSV数量粗略估计；大约23000个 TSV工艺位置；在M10-M11之间（共15种金属，从M0开始） 我们暂时只能猜测AMD计划在其未来的结构中使用3D V-Cache，例如在不久的将来发布的Zen 4架构。这项新技术使AMD处理器在英特尔技术之上有了一个有利的飞跃，由于我们看到CPU核心数量每年都在增加，因此L3缓存的大小变得越来越重要。
